全员换上无尘工作服，经过三道安检进入偌大的实验室。
见到一台庞然大物，市委书记、市长、副市长等市领导同时愣住，安若素也是睫毛一颤。
安若素平时很少来鹏城大学，只有周末过来找老公，并未见过光刻机成品，此时指着大型设备激动道：“老公…这…这就是你研发的光刻机吗？”
“对。”
苏云杉向市领导介绍：“各位领导，这就是由皇甫集团和鹏城大学联合研制的High NA EUV光刻机，机身尺寸10米x5米x4米，整机重量约150吨，按照设计要求，可以量产1nm及以上制程芯片，实验室可试产0.5nm芯片。”
哗——
全场领导大惊！
看着光刻机怔怔出神。
皇甫君昨晚来过，见过总装整机，此时再见，依然觉得震撼，光刻机通体哑光银灰，轮廓方正厚重，如同集装箱稳稳地扎在环氧地坪上。
苏云杉走近介绍：“这台设备是国内首台数值孔径0.55的High NA极紫外光刻机，相较于国外传统0.33NA EUV光刻机，可大幅提升分辨率，打印8nm密集线条，突破芯片制造密度记录，这也是它能够突破1nm制程壁垒的核心关键。”
皇甫君母女三人、市领导、校领导跟在他身后，近距离观摩，更能直观地感受到它的精密和磅礴。
苏云杉摸着冰凉的机身继续介绍——
“整机采用一体化真空密封舱体设计，外壳是特制航空级碳化硅材质，抗形变、耐高温、耐腐蚀，表面哑光涂层经过百级无尘抛光处理，不沾微尘、极致平整，杜绝任何细微光线散射干扰。”
“设备搭载自研13.5nm波长高能脉冲等离子光源，最大功率突破350W，光源稳定性和光斑均匀性，均达到国际领先标准，彻底解决了传统EUV光源功耗高、续航短、光斑偏差的缺陷。”
苏云杉抬手指着设备核心光学区域，继续细致讲解。
“核心反射镜组为七层超高精度镀膜镜片，经过原子级抛光工艺处理，面形精度误差控制在0.05λ以内，表面粗糙度不足0.1纳米，相当于单个原子直径级别，可实现极致精准的光线反射和聚焦。”
啥啥啥……
说得是个啥……
安若素和安无恙姐妹俩听得一头雾水，但不明觉厉。
市委书记和市长此前做过国产光刻机的调研和考察工作，大概能听懂，来之前也做过功课，听到苏云杉报出的一组组参数，除了震惊还是震惊。
苏云杉接着报出一组极具含金量的核心参数。
“设备套刻精度控制在1.2纳米以内，单次曝光分辨率可达8纳米，配合多重曝光工艺，量产端可稳定实现1nm制程芯片规模化投产。
实验室极限工艺下，可完成0.5nm制程芯片的试产、迭代和良率测试。
同时，整机晶圆吞吐量可达每小时120片，单台设备年产能能够支撑数十万片先进制程晶圆产出，完全满足车载智控芯片、高端手机、AI算力芯片的量产需求。”
哇——
市领导和校领导又是一惊！
“整台设备核心国产化率达到100%，从真空腔体、精密运动工件台、双工件台换片系统，到光源模组、光学镜头、精密校准控制系统，全部实现自主设计、自主制造，彻底摆脱海外核心零部件的技术垄断。”
苏云杉最后总结道：“总之一句话，我可以负责任地告诉各位领导，这是当今世界上最先进的光刻机。”
天呐——
无尘实验室一片沉寂，安静得只能听到各自的心跳声和呼吸声。
市领导和校领导很清楚，0.5nm实验室试产、1nm规模化量产、100%国产化率，这三组数据意味着什么。
此前全球高端光刻领域，EUV技术被阿斯麦尔独家垄断，国内先进制程芯片始终被卡在瓶颈，如今这台国产设备的问世，堪称弯道超车，直接跳过EUV，站在High NA EUV的领头羊位置。
但……
数据终归是数据……
实际能做到吗？
这个问题，皇甫君也想知道，没等市领导开口，她先忍不住道：“苏总，要不…现在开启测试？”
这话问到了所有人的心坎里，一个个面露期待，包括教授、研究员、副教授等协作团队。
他们只是按照苏云杉的要求制造零件、组装、调试，对于能否系统化运转，甚至达到设计要求，并不确定。
苏云杉抬起腕表看时间，“刚好9点整，好，请工作人员就位，听我指令，正式开启首次测试。”
一位工程师紧张地站在主控台前，由于设备高度自动化，人工干预较少，只需一人操作即可。
众人凝神屏息，面露紧张之色。
苏云杉平静地发布指令：“开始上机前自检，执行S1全链路校验。”
唰——
终端界面瞬间刷新海量数据流，整机光源系统、七组超高精度反射镜组、双工件台、精密对焦系统、光路校准模块同步启动自检。
屏幕上，光路偏差、镜面面形误差、工件台定位参数、真空洁净度、激光光斑均匀性等上百项核心指标，逐条跳转为绿色合格状态。
苏云杉继续下达指令：“载入1nm标准SRAM光刻版图，启动光源预激发，功率拉至320W稳态。”
嗡——
设备内部传出一阵极其低沉、稳定、细腻的机械共振声，没有剧烈震动，没有刺眼光亮，极致精密的工业设备，运转起来只有近乎细微的低频嗡鸣。
咚咚…咚咚…咚咚……
皇甫君心跳加速，紧盯腔体内部。
只见13.5nm极紫外高能等离子光源瞬间起弧，经过多层高精度光学镜组，多次反射、收敛、匀化，一束极窄的EUV光束，沿着超长真空光路贯穿整机，精准投射至晶圆表面。
啧啧啧……
安若素心中暗叹：好科幻的样子…这玩意儿是我老公造出来的？他怕不是个外星人吧……
“双工件台切换，载入12英寸裸晶圆，执行对位校准。”苏云杉慢条斯理道。
机械结构在真空腔体内无声滑移，国产高精度双工件台以纳米级精度平稳位移，定位误差严格控制在±0.3nm，晶圆边缘标记点与机台对位基准瞬间完成毫秒级贴合，套刻预偏差归零。
外行看热闹，内行看门道。
半导体制造研究院院长、光刻机研发中心主任以及教授等团队成员，神色越发震惊。
他们的目光死死锁定主控屏幕，无人敢出声打扰半分。
懂行的人都清楚，这一步对位校准，是1nm制程光刻最核心、最考验技术的关键环节，分毫偏差都会导致整片晶圆报废。
苏云杉紧盯实时成像数据，沉声确认：“对位合格，启动单次曝光，剂量240mJ/cm??，聚焦阈值锁定0.8nm。”
下一秒，EUV光束精准击穿光刻胶表层，在晶圆基底上完成极致精微的电路图形复刻。
整个曝光过程无声无息，无任何肉眼可见光影，却在微观尺度完成了千亿级晶体管电路的精准刻画。
单次曝光结束，机台自动完成移片、对焦、二次校准，开启多重曝光叠加工艺，完美适配1nm制程的图形拼接需求。
三分钟后，首批测试晶圆曝光工序全部完成，设备自动卸载晶圆，送入后端在线检测工位。
缺陷检测机和线宽量测机瞬间启动扫描，海量微观成像数据快速刷新在大屏之上。
当最终检测结果跳出的那一刻，团队成员呼吸同时停滞。
大屏幕上清晰显示——
实测线宽：1.02nm
套刻精度：1.18nm
边缘粗糙度：≤0.45nm
微观缺陷数：0
轰！！！
团队瞬间炸了！！！
“神呐！所有核心参数全部达到甚至超越国际商用1nm制程标准！！”
“苏总研发的国产High NA EUV光刻机竟然成功了！！！”
“OMG！太不可思议了吧！！谁能掐我一下！我不是在做梦吧？！！”
不是……
成功了？
安若素和安无恙两位门外汉相视一眼，对于不懂的人来说，连是否成功都无法分辨。